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作為一個覆蓋從探索到簽核的統一平臺，新思科技 3DIC Compiler 通過自動化能力提升設計生產力，支持基于臺積公司 3DFabric 技術的設計實現。新思科技 3DIC Compiler 還與 RedHawk?SC?、RedHawk?SC Electrothermal? 以及 Ansys HFSS? 軟件實現集成，提供覆蓋熱、功耗及高速信號完整性的多物理場分析能力。

靜態壓降簽核分析 動態壓降簽核分析 芯片-封裝協同簽核分析 電遷移（EM）簽核分析3、高速接口分析CSM、CPM結合HFSS和SIwave提供全面的HBM及Serdes高速接口信號和電源完整性分析。

這些材料與眼科鏡片使用的CR-39以及POLYCARBONATE有些微的不同。為了讓材料屬性可以更針對眼科鏡片的製造，CR-39的資料取塑料的自主要供應商PPG Industries，且可用波長延伸至整個可見光譜範圍。而POLYCARBONATE的資料則由Essilor International S.A. (Gentex Corp.的母公司，主要的PC眼科鏡片製造商)所提供。

在每一次的交錯中，就相應產生一道穿透以及一道反射光場，最後這些光場會在同調的假設下相加。經過一番如魔術般建設性以及破壞性干涉後，最後的結果可以用巨觀的反射以及穿透係數來表示。入射光的電場並非用單一個點來描述，相對的，我們會假設該電場比多重光束干涉發生的區域更大許多。在Zemax OpticStudio中，我們使用field係數來表示這個結果，這些係數已經被薄膜膜層的程式驗證過許多次。

雷射雷達會將接收到返回信號花費的時長記錄下來，即飛行時間，並將飛行時間轉換為距離。圖元的位置可表明入射光的方向。這兩個值都表明散射光線來自站在離貨車10米遠的紅色行人。OpticStudio實際上測量的不是時間，而是光線路徑長度，也就是物體和探測器之間的距離。

方程式(2)的符號約定，假設K的方向選擇滿足K.kp>0。 圖 2. (a) 兩到建構光束折射到全像材料中 (b) 重建光束折射到體積全像中現在，我們考慮在全像中，由正弦調變來表示折射率n和α，如方程式（3）。其中n0為平均折射率，n1為折射率的振幅調製，K為光柵向量。透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。

先進工藝技術認證Ansys RedHawk-SC和Ansys Totem是面向數字/模擬電源完整性的基礎解決方案，可驗證產品是否能夠可靠運行并滿足性能目標。這些解決方案有助于驗證采用臺積電N3C、N3P、N2P和A16?工藝技術制造的芯片的電源完整性。同樣，面向芯片電磁建模的Ansys HFSS-IC Pro解決方案也通過了臺積電N5和N3P工藝的認證。

Axelera AI的PCIe AI Edge加速器卡（如圖）由四個Metis AIPU提供支持，并使用Ansys仿真軟件進行驗證 Axelera AI聯合創始人、芯片總監Giuseppe Garcea指出：“在分析過程中，我們發現了可能影響芯片設計質量的嚴重問題。用Ansys軟件設置兩步工作流程非常簡單、直白，初始運行可在一臺服務器上完成。

如果用戶提供新訊息或有任何要求，請隨時與我們聯繫，我們可以相應地更新本文。在此文章中，我們首先簡要介紹一些可能的設計路線，並在MyZemax.com上提供完整的文章，其中提供有關自由空間和DOE /超穎透鏡中的相位分佈和傳播方法的概念的詳細訊息，以及為這些應用程式定制的一些有用DLL。介紹了特殊的相位輪廓設計。

醫用組織成像是該系統的最典型應用，因為OCT安全且具有高分辨率，儘管光可以穿透的深度限制在毫米量級。OCT測量系統依賴於邁克森干涉儀 (Michelson interferometer)，使得從參考物反射的光與樣品之間的相干性表明散射光源自樣品中與參考鏡的位置相對應的深度。本文將逐步介紹如何在OpticStudio中創建商業上可用的OCT模型。

這些產品覆蓋多個關鍵領域，包括：更高精度的多物理場簽核、增強的多物理場設計能力，以及面向高速模擬和 3DIC 設計的擴展電磁（EM）分析。對于先進制程下的異構設計而言，電壓降、熱效應和電磁耦合已成為關鍵挑戰，直接影響系統性能和可靠性。通過將多物理場分析集成到設計流程中，有助于工程團隊更早、更準確地發現并解決潛在問題，同時與最終簽核結果實現更高的一致性。

HBM3 DRAM是第四代HBM產品，此前三代分別為HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及HBM2E（第三代）。隨著人工智能（AI）和大數據（Big data）等尖端技術的加速發展，全球主要科技企業正在探索創新方法，以快速處理增速迅猛的數據量。相較于傳統DRAM，HBM在數據處理速度和性能方面都具有顯著優勢，有望獲得業界廣泛關注并被越來越多地采用。

然而，在多Dies互聯配置下，信號完整性（SI）、電源完整性（PI）以及系統級封裝（SiP）的簽核成為確保3DIC封裝性能和可靠性的關鍵挑戰。本課題旨在提出一種針對3DIC封裝多Dies互聯配置下的SIPI簽核方案，針對對3DIC封裝中的多Dies互聯結構進行詳細的信號和電源完整性分析，確保在整個設計周期內對SI和PI性能進行持續優化和驗證。

講師：王曉東 | Ansys主任應用工程師 負責RedHawk/RedHawk_SC/RedHawk_SC_Electrothermal等產品的售前和售后技術支持，專注于Multi-physics，2.5D/3DIC 電源完整性分析，熱分析，以及應力分析等聯合仿真解決方案領域。

圖13 Ansys CPS Thermal 仿真流程 而對于Interposer等結構的熱分析，Ansys提供了全新的RedHawkSC-ET仿真平臺，通過3DIC模板，在該平臺可以直接導入3DIC各芯片的CTM，并結合封裝設計和PCB系統設計，進行CPS熱仿真得到芯片及Interposer的熱分布以及散熱能力，進而評估芯片的可靠性。

提供10個觸摸感應按鍵及兩線式串列界面，並有中斷輸出INT腳與MCU聯繫。特性上 對於防水和抗干擾方面有很優異的表現！C56-36 產品特色 ? 工作電壓範圍：3.1V – 5.5V ? 工作電流：3mA@5V ? 10 個觸摸感應按鍵 ? 提供串列界面 SCK、SDA、INT 作為與 MCU 溝通方式。

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ROM技術的高靈活性和兼容性使得其可以在不同的設計階段，覆蓋從模塊級到3DIC中芯片級，更快速地進行多場景多條件分析，從而優化設計方案，幫助設計人員高效完成全芯片或多芯片3DIC的電源完整性可靠性sign-off工作。